13所標準化動態(tài)
中國電子科技集團公司第十三研究所標準化工作動態(tài)
1、國際標準化
（1）13所聯(lián)合牽頭提出的3項IEC國際標準發(fā)布。2020年1月14日國家標準化管理委員會官網(wǎng)發(fā)布了“關于公開2019年度我國牽頭及聯(lián)合牽頭制定國際電工委員會（IEC）國際標準情況的通知”，中國電科13所作為聯(lián)合牽頭單位提出并參與制定的下列3項國際標準發(fā)布實施：
1）IEC 62047-32:2019半導體器件 微電子機械器件 第32部分：MEMS諧振器的非線性振動測試方法
2）IEC 62047-33:2019半導體器件 微電子機械器件 第33部分：MEMS壓阻式壓力敏感器件
3）IEC 62047-34:2019半導體器件 微電子機械器件 第34部分：MEMS壓阻式壓力敏感器件圓片級試驗方法
這3項標準的發(fā)布，是繼我國于2016年在MEMS器件領域首次牽頭提出制定的1項標準發(fā)布后的又一次重大突破，及時將MEMS器件測試方法的研究成果制定為國際標準，體現(xiàn)了我國在MEMS領域的技術實力。
（2）牽頭提出的4項IEC國際標準進展順利。
經(jīng)過2019年6月在蘇州召開的工作組會議和10月上海IEC大會的推進， 又有3項新提案成功立項，國際標準在研項目總數(shù)達到4項。IEC 63229 半導體器件 碳化硅襯底氮化鎵外延膜缺陷分類已進入CDV階段，IEC中央辦公室正在進行法文翻譯，計劃5月初分發(fā)。IEC 60747-16-7 半導體器件 第16-7部分：微波集成電路 衰減器、IEC 60747-16-8 半導體器件 第16-8部分：微波集成電路 限幅器和IEC 62047-41半導體器件 微電子機械器件 第41部分：RF MEMS環(huán)行器和隔離器三項提案處于CD階段，委員會草案（CD）均已分發(fā)，正在征求各國意見，5月底前完成，準備在6月召開的工作組會議上討論。
這四項國際標準是我所牽頭提出的首批提案，開啟了我所主持制定國際標準的新篇章，體現(xiàn)了我國在半導體器件領域的技術實力，掌握了相關領域的話語權，為后續(xù)國際標準的制定奠定了基礎。
2、國家標準制定
- 1）13所主持編制的三項國家標準提前完成報批
2020年3月13所主持編制的三項國家標準《電子元器件 半導體器件長期貯存 第2部分：失效機理電子元器件（計劃號20182267-T-339）、《半導體器件長期貯存第5部分：芯片和晶圓》（計劃號20182266-T-339）、《微波集成電路 檢波器測試方法（計劃號20182277-T-339）提前一年完成報批。《電子元器件 半導體器件長期貯存 第2部分：失效機理電子元器件和《半導體器件長期貯存第5部分：芯片和晶圓》為等同采用IEC標準，是電子元器件 半導體器件長期貯存系列標準，通過該系列標準的制定，可確定電子元器件長期貯存需要的環(huán)境條件和可能導致的失效模式，評價長期貯存電子元器件的可靠性，對電子元器件的研究、生產(chǎn)、包裝、檢驗和使用具有重要意義，同時補充完善電子元器件標準體系，為電子元器件行業(yè)的發(fā)展起到指導作用。
（2）國家標準化管理委員會下達推薦性國家標準制修訂項目計劃，由13所主持6項國家標準制修訂項目。根據(jù)國標委發(fā)【2020】6號《關于下達2020年推薦性國際標準計劃（修訂）的通知》和國標委發(fā)【2020】14號《關于下達2020年第一批推薦性國家標準制修訂計劃的通知》，由13所主持GB/T 20230-2006《磷化銦單晶》和GB/T 4587-1994 《半導體器件 第7部分：雙極型晶體管》2項國家標準的修訂任務，以及《半導體器件 機械和氣候試驗方法 第42部分：溫濕度貯存》、《半導體器件錫和錫合金表面涂覆的錫須影響的環(huán)境接收要求》、《半導體器件 機械和氣候試驗方法 第16部分：粒子碰撞噪聲檢測（PIND）》和《半導體器件 第16-5部分：微波集成電路 振蕩器》4項國家標準采標項目。13所將充分調研和征求領域內相關單位的意見，組織完成好上述標準的制修訂任務，發(fā)揮好行業(yè)骨干單位的作用，體現(xiàn)國企的責任和擔當。
中國電子科技集團公司第十三研究所標準化工作動態(tài)
1、國際標準化
（1）13所聯(lián)合牽頭提出的3項IEC國際標準發(fā)布。2020年1月14日國家標準化管理委員會官網(wǎng)發(fā)布了“關于公開2019年度我國牽頭及聯(lián)合牽頭制定國際電工委員會（IEC）國際標準情況的通知”，中國電科13所作為聯(lián)合牽頭單位提出并參與制定的下列3項國際標準發(fā)布實施：
1）IEC 62047-32:2019半導體器件 微電子機械器件 第32部分：MEMS諧振器的非線性振動測試方法
2）IEC 62047-33:2019半導體器件 微電子機械器件 第33部分：MEMS壓阻式壓力敏感器件
3）IEC 62047-34:2019半導體器件 微電子機械器件 第34部分：MEMS壓阻式壓力敏感器件圓片級試驗方法
這3項標準的發(fā)布，是繼我國于2016年在MEMS器件領域首次牽頭提出制定的1項標準發(fā)布后的又一次重大突破，及時將MEMS器件測試方法的研究成果制定為國際標準，體現(xiàn)了我國在MEMS領域的技術實力。
（2）牽頭提出的4項IEC國際標準進展順利。
經(jīng)過2019年6月在蘇州召開的工作組會議和10月上海IEC大會的推進， 又有3項新提案成功立項，國際標準在研項目總數(shù)達到4項。IEC 63229 半導體器件 碳化硅襯底氮化鎵外延膜缺陷分類已進入CDV階段，IEC中央辦公室正在進行法文翻譯，計劃5月初分發(fā)。IEC 60747-16-7 半導體器件 第16-7部分：微波集成電路 衰減器、IEC 60747-16-8 半導體器件 第16-8部分：微波集成電路 限幅器和IEC 62047-41半導體器件 微電子機械器件 第41部分：RF MEMS環(huán)行器和隔離器三項提案處于CD階段，委員會草案（CD）均已分發(fā)，正在征求各國意見，5月底前完成，準備在6月召開的工作組會議上討論。
這四項國際標準是我所牽頭提出的首批提案，開啟了我所主持制定國際標準的新篇章，體現(xiàn)了我國在半導體器件領域的技術實力，掌握了相關領域的話語權，為后續(xù)國際標準的制定奠定了基礎。
2、國家標準制定
- 1）13所主持編制的三項國家標準提前完成報批
2020年3月13所主持編制的三項國家標準《電子元器件 半導體器件長期貯存 第2部分：失效機理電子元器件（計劃號20182267-T-339）、《半導體器件長期貯存第5部分：芯片和晶圓》（計劃號20182266-T-339）、《微波集成電路 檢波器測試方法（計劃號20182277-T-339）提前一年完成報批。《電子元器件 半導體器件長期貯存 第2部分：失效機理電子元器件和《半導體器件長期貯存第5部分：芯片和晶圓》為等同采用IEC標準，是電子元器件 半導體器件長期貯存系列標準，通過該系列標準的制定，可確定電子元器件長期貯存需要的環(huán)境條件和可能導致的失效模式，評價長期貯存電子元器件的可靠性，對電子元器件的研究、生產(chǎn)、包裝、檢驗和使用具有重要意義，同時補充完善電子元器件標準體系，為電子元器件行業(yè)的發(fā)展起到指導作用。
（2）國家標準化管理委員會下達推薦性國家標準制修訂項目計劃，由13所主持6項國家標準制修訂項目。根據(jù)國標委發(fā)【2020】6號《關于下達2020年推薦性國際標準計劃（修訂）的通知》和國標委發(fā)【2020】14號《關于下達2020年第一批推薦性國家標準制修訂計劃的通知》，由13所主持GB/T 20230-2006《磷化銦單晶》和GB/T 4587-1994 《半導體器件 第7部分：雙極型晶體管》2項國家標準的修訂任務，以及《半導體器件 機械和氣候試驗方法 第42部分：溫濕度貯存》、《半導體器件錫和錫合金表面涂覆的錫須影響的環(huán)境接收要求》、《半導體器件 機械和氣候試驗方法 第16部分：粒子碰撞噪聲檢測（PIND）》和《半導體器件 第16-5部分：微波集成電路 振蕩器》4項國家標準采標項目。13所將充分調研和征求領域內相關單位的意見，組織完成好上述標準的制修訂任務，發(fā)揮好行業(yè)骨干單位的作用，體現(xiàn)國企的責任和擔當。
